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SI2308DS-T1

更新时间： 2024-11-17 22:21:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	60K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI2308DS-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI2308DS-T1 数据手册

Si2308DS

Vishay Siliconix

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D 100% R_gTested

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.16 @ V = 10 V

2.0

1.7

0.22 @ V = 4.5 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2308DS (A8)*

*Marking Code

Ordering Information: Si2308DS-T1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

2.0

1.6

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.0

= 25_C

= 70_C

1.25

Maximum Power Dissipation

0.80

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

100

166

thJA

C/W

Maximum Junction-to-Ambient

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t = v5 sec.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature.

c. Surface Mounted on FR4 Board

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70797

S-31725—Rev. B, 18-Aug-03

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI2308DS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI2309	HC	获取价格	SOT-23
SI2309	HOTTECH	获取价格	SOT-23
SI2309A	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
SI2309CDS	VISHAY	获取价格	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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