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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.22 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI2308BDS-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似  |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI2308BDS-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI2308DS (KI2308DS) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| SI2308DS-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI2308DS-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI2308DS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI2308DS-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI2309 | HC |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2309 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2309A | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| SI2309CDS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI2309CDS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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