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SI2308DS

更新时间: 2024-11-17 22:21:51
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 60K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

SI2308DS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):2 A最大漏源导通电阻:0.22 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SI2308DS 数据手册

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Si2308DS  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D 100% Rg Tested  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.16 @ V = 10 V  
2.0  
1.7  
GS  
60  
0.22 @ V = 4.5 V  
GS  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2308DS (A8)*  
*Marking Code  
Ordering Information: Si2308DS-T1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
60  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
2.0  
1.6  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
b
Pulsed Drain Current  
I
10  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
1.0  
T
= 25_C  
= 70_C  
1.25  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
0.80  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
100  
166  
R
thJA  
_
C/W  
c
Maximum Junction-to-Ambient  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t = v5 sec.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
c. Surface Mounted on FR4 Board  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 70797  
S-31725—Rev. B, 18-Aug-03  
www.vishay.com  
1
 

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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-60V;持续漏极电流(Id)(在25°C
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