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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 7.07 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.156 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.66 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Silver (Ag) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI2308BDS-T1-E3 | VISHAY |
完全替代  |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI2308DS-T1-E3 | VISHAY |
类似代替 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| RSR020N06TL | ROHM |
功能相似 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| Si2308CDS | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
|
| SI2308DS | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2308DS (KI2308DS) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| SI2308DS-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI2308DS-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2308DS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI2308DS-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI2309 | HC |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| SI2309 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| SI2309A | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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