SI2307DS-T1

更新时间： 2024-09-16 12:26:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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5页	81K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI2307DS-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI2307DS-T1 数据手册

Si2307DS

Vishay Siliconix

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.080 @ V = –10 V

–3

–2

–30

0.140 @ V = –4.5 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2307DS (A7)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLSS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–30

"20

–3

T = 25_C

T = 70_C

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

–2.5

Pulsed Drain Current

–12

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–1.25

1.25

T = 25_C

T = 70_C

a, b

Power Dissipation

0.8

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

100

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Steady State

130

Notes

a. Surface mounted on FR4 board.

b. t v 5 sec.

Document Number: 70843

S-60570—Rev. A, 16-Nov-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4 5

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