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SI2307DS-E3

更新时间: 2024-11-18 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 94K
描述
TRANSISTOR 3 A, 30 V, 0.08 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Power

SI2307DS-E3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.66配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:0.08 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.25 W最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SI2307DS-E3 数据手册

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Si2307DS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.080 @ V = –10 V  
–3  
–2  
GS  
–30  
0.140 @ V = –4.5 V  
GS  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2307DS (A7)*  
*Marking Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLSS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
–30  
"20  
–3  
DS  
GS  
V
T = 25_C  
T = 70_C  
A
A
a, b  
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
–2.5  
A
Pulsed Drain Current  
I
–12  
DM  
a, b  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
–1.25  
1.25  
S
T = 25_C  
T = 70_C  
A
A
a, b  
Power Dissipation  
P
W
D
0.8  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
100  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
_C/W  
Steady State  
130  
Notes  
a. Surface mounted on FR4 board.  
b. t v 5 sec.  
Document Number: 70843  
S-60570—Rev. A, 16-Nov-98  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  

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