是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.66 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A |
最大漏极电流 (ID): | 3 A | 最大漏源导通电阻: | 0.08 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-236 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2307DS-T1 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI2308 | HC |
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SOT-23 | |
SI2308 | HOTTECH |
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SOT-23 | |
SI2308A | UMW |
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漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):3A;栅极-源极阈值电 | |
SI2308BDS | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI2308BDS_13 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI2308BDS-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI2308BDS-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
Si2308CDS | VISHAY |
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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | |
SI2308DS | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |