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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI2307CDS-T1-GE3
SI2307CDS-T1-GE3 PDF预览

SI2307CDS-T1-GE3

更新时间： 2024-11-06 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 110K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI2307CDS-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：0.83配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.088 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2307CDS-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si2307CDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free Option Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, b  
•
0.088 at VGS = - 10 V  
0.138 at VGS = - 4.5 V  
- 2.7  
- 2.2  
- 30  
4.1 nC  
RoHS  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
•
Load Switch for Portable Devices  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
3
2
D
S
G
Top View  
Si2307CDS (N7)*  
* Marking Code  
D
Ordering Information: Si2307CDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2307CDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 30  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
- 3.5  
- 2.8  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
- 2.7a, b  
- 2.2a, b  
- 12  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Currenta, b  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
- 1.5  
- 0.91a, b  
1.8  
1.14  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
1.1a, b  
TA = 25 °C  
0.7a, b  
- 55 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Symbol  
Typical  
Maximum  
115  
Unit  
RthJA  
t ≤ 5 s  
90  
55  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
70  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Maximum under Steady State conditions is 166 °C/W.  
Document Number: 68768  
S-81580-Rev. A, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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SI2307CDS-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2307CDS-T1-E3 VISHAY

完全替代

 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2341DS-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 Small Signal Field-Effect Transistor,
SI2341DS-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2307DS VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2307DS (KI2307DS) KEXIN

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 		P-Channel MOSFET
SI2307DS-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 3 A, 30 V, 0.08 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET G
SI2307DS-T1 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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 		SOT-23　
SI2308 HOTTECH

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 		SOT-23
SI2308A UMW

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 		漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:3A;栅极-源极阈值电
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