5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI2307CDS-T1-E3
SI2307CDS-T1-E3 PDF预览

SI2307CDS-T1-E3

更新时间： 2024-11-18 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 110K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI2307CDS-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：0.83Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.088 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI2307CDS-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI2307CDS-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI2307CDS-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI2307CDS-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI2307CDS-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI2307CDS-T1-E3的Datasheet PDF文件第6页 
New Product  
Si2307CDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free Option Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, b  
•
0.088 at VGS = - 10 V  
0.138 at VGS = - 4.5 V  
- 2.7  
- 2.2  
- 30  
4.1 nC  
RoHS  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
•
Load Switch for Portable Devices  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
3
2
D
S
G
Top View  
Si2307CDS (N7)*  
* Marking Code  
D
Ordering Information: Si2307CDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2307CDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 30  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
- 3.5  
- 2.8  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
- 2.7a, b  
- 2.2a, b  
- 12  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Currenta, b  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
- 1.5  
- 0.91a, b  
1.8  
1.14  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
1.1a, b  
TA = 25 °C  
0.7a, b  
- 55 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Symbol  
Typical  
Maximum  
115  
Unit  
RthJA  
t ≤ 5 s  
90  
55  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
70  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Maximum under Steady State conditions is 166 °C/W.  
Document Number: 68768  
S-81580-Rev. A, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
123456

中文翻译

下载PDF

SI2307CDS-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DMP3130L-7 DIODES

功能相似

 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

与SI2307CDS-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2307DS VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2307DS (KI2307DS) KEXIN

获取价格

 		P-Channel MOSFET
SI2307DS-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 3 A, 30 V, 0.08 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET G
SI2307DS-T1 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2308　 HC

获取价格

 		SOT-23　
SI2308 HOTTECH

获取价格

 		SOT-23
SI2308A UMW

获取价格

 		漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:3A;栅极-源极阈值电
SI2308BDS VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI2308BDS_13 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

与SI2307CDS-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证