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SI2307BDS (KI2307BDS)

更新时间： 2024-11-19 18:09:39

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P-Channel MOSFET

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SMD Type

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

SI2307BDS (KI2307BDS)

SOT-23-3

Unit: mm

+0.2

-0.1

2.9

+0.1

-0.1

0.4

■ Features

● VDS (V) =-30V

● RDS(ON) ＜ 78mΩ (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 130mΩ (VGS =-4.5V)

+0.02

-0.02

+0.1

-0.1

0.15

0.95

+0.1

-0.2

1.9

1. Gate

2. Source

3. Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

-30

VDS

±20

Gate-Source Voltage

-3.2

-2.6

-2.5

-2.0

Ta = 25℃

Continuous Drain Current (Tj=150℃) *1

Ta = 70℃

-12

Pulsed Drain Current *2

IDM

1.25

0.8

0.75

0.48

Power Dissipation *1

Ta = 25℃

Ta = 70℃

℃/W

℃

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient *1

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient *3

Junction Temperature

100

166

150

thJA

-55 to 150

Storage Temperature Range

Tstg

*1 Pulse width limited by maximum junction temperature.

*2 Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 5 s.

*3 Surface Mounted on FR4 board.

www.kexin.com.cn

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