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SI2307A

更新时间： 2024-11-19 17:15:43

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	1706K
描述
漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-3A;栅极-源极阈值电压:3V @ 250uA;漏源导通电阻:50mΩ@-10V;最大功耗（Ta = 25°C）:1.25W;种类:P-Channel;Vgs(th)(V):±20

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SI2307A 数据手册

UMW SI2307A

P-Channel Enhancement MOSFET

UMW

■ Features

SOT–23

● VDS (V) =-30V

● ID =-3.0A (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 50mΩ (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 70mΩ (V GS =-4.5V)

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

5 sec

-30

Unit

Gate-Source Voltage

±20

-3

Ta = 25℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

-2.5

Ta = 70℃

-12

1.25

0.8

Ta = 25℃

Ta = 70℃

t≤10 sec

℃/W

℃

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Junction Temperature

thJA

100

150

Junction and Storage Temperature Range

Tstg

-55 to 150

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

12 3 4 5

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