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SI2303A

更新时间： 2024-11-18 17:15:39

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
3页	384K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-1.7A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:190mΩ@-10V

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SI2303A 数据手册

UMW

UMW SI2303

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

P-channel 30-V(D-S) MOSFET

SI2303

V(BR)DSS RDS(on)MAX

190mΩ@-10V

330mΩ@-4.5V

-30 V

-1.7A

FEATURE

※TrenchFET Power MOSFET

SOT–23

APPLICATION

※ Load Switch for Portable Devices

※ DC/DC Converter

1. GATE

Equivalent Circuit

2. SOURCE

3. DRAIN

Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

-30

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

VGS

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current

-1.7

Pulsed Diode Curren

IDM

-10

Continuous Source-Drain Current(Diode Conduction)

Power Dissipation

-1

0.9

℃/W

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient (t≤5s)

Operating Junction

RθJA

357

150

Storage Temperature

TSTG

-55~+150

℃

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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