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SI2301A-TP

更新时间： 2025-07-25 19:10:43

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		栅栅极
页数	文件大小	规格书
4页	987K
描述
漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):2.8A;最大导通阻抗Ron(mΩ):120 mOhm @ 2.8A, 4.5V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):14.5nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):1.25W;栅源耐压Vgs(V):±8V;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:SOT-23-3;

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SI2301A-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
端子面层：	Matte Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	10

SI2301A-TP 数据手册

SI2301A

Features

• High Dense Cell Design For Extremely Low R_DS(ON)

• Rugged and reliable

• High Speed Switching

• Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

• Moisture Sensitivity Level 1

P-Channel MOSFET

• Halogen Free. “Green” Device (Note 1)

• Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS

Compliant. See Ordering Information)

Maximum Ratings

•

Operating Junction Temperature Range : -55^oC to +150^oC

Storage Temperature Range: -55^oC to +150^oC

Maximum Thermal Resistance: 125^oC/W Junction to Ambient^(Note

SOT-23

Parameter

Rating

-20V

±8

Unit

Symbol

V_DS

Drain -source Voltage

Gate -Source Voltage

V_GS

I_D

-2.8

-10

1.0

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulse^{(Note 2)}

Power Dissipation

I_DM

P_D

Note: 1. Halogen free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine,

<900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds.

DIMENSIONS

Internal Structure

INCHES

DIM

NOTE

MIN MAX MIN MAX

0.110 0.120 2.80 3.04

0.083 0.104 2.10 2.64

0.047 0.055 1.20 1.40

0.034 0.041 0.85 1.05

0.067 0.083 1.70 2.10

0.018 0.024 0.45 0.60

1. *$7E

2. 6285&(

3. '5$,1

0.01 0.10

0.0004 0.004

0.035 0.041 0.90 1.025

0.003 0.007 0.08 0.18

0.012 0.020 0.30 0.51

0.020

0.50

0.007

0.20

Suggested Solder Pad Layout

0.031

0.800

0.035

0.900

0.079

2.000

inches

0.037

0.950

0.037

0.950

Rev.3-4-12012020

1/4

MCCSEMI.COM

12 3 4

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与SI2301A-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2301ADS	VISHAY	获取价格	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Si2301ADS	TI	获取价格	Triple-Supply Power Management IC for Powering FPGAs and DSPs
SI2301ADS	TECHPUBLIC	获取价格	类型:P沟道;元器件封装:SOT-23-3;
SI2301ADS-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI2301ADS-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI2301ADS-T1	VBSEMI	获取价格
SI2301ADS-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI2301AHE3	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2301B	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C
SI2301BD	VISHAY	获取价格	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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