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Datasheet > SI1551DL-E3
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SI1551DL-E3

更新时间： 2024-11-09 21:20:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 62K
描述
TRANSISTOR 290 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SI1551DL-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.25配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.29 A
最大漏极电流 (ID)：0.29 A最大漏源导通电阻：1.9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI1551DL-E3 数据手册

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Si1551DL  
Vishay Siliconix  
Complementary 20-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
1.9 @ V = 4.5 V  
0.30  
0.22  
GS  
N-Channel  
P-Channel  
20  
3.7 @ V = 2.7 V  
GS  
4.2 @ V = 2.5 V  
0.21  
GS  
0.995 @ V  
1.600 @ V  
1.800 @ V  
= -4.5 V  
= -2.7 V  
= -2.5 V  
-0.44  
-0.34  
-0.32  
GS  
GS  
GS  
-20  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
S
1
G
1
D
2
1
2
3
6
D
1
Marking Code  
RD XX  
5
4
G
Lot Traceability  
and Date Code  
2
Part # Code  
S
2
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
N-Channel  
P-Channel  
5 secs Steady State  
5 secs  
Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
-20  
DS  
V
V
GS  
"12  
T
= 25_C  
= 85_C  
0.30  
0.22  
0.29  
0.21  
- 0.44  
-0.31  
-0.41  
-0.30  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
0.6  
-1.0  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
0.25  
0.30  
0.16  
0.23  
0.27  
0.14  
-0.25  
0.30  
0.16  
-0.23  
0.27  
0.14  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
360  
400  
300  
415  
460  
350  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71255  
S-21374—Rev. B, 12-Aug-02  
www.vishay.com  
1
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1551DL-T1 VISHAY

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 		Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI1551DL-T1-E3 VISHAY

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 		Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI1551DL-T1-GE3 VISHAY

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 		MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
SI1553CDL VISHAY

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 		N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
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SI1553DL VISHAY

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SI1553DL-T1 VISHAY

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 		Transistor
SI1553DL-T1-GE3 VISHAY

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