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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI1302DL | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1302DL_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1302DL_10 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1302DL-T1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI1302DL-T1-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 3 PIN |
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| SI1302DL-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLI |
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| SI1303 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SI1303DL | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI1303DL_08 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI1303DL-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 670 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 3 PIN, FET General Pu |
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