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SI1300BDL-T1-GE3

更新时间： 2024-11-28 19:31:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 115K
描述
TRANSISTOR 400 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SI1300BDL-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.82
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.4 A最大漏极电流 (ID)：0.4 A
最大漏源导通电阻：0.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1300BDL-T1-GE3 数据手册

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Si1300BDL  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)a  
0.4  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
0.85 at VGS = 4.5 V  
1.08 at VGS = 2.5 V  
•
•
•
20  
0.335  
0.35  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
SC-70 (3-LEADS)  
D
G
S
1
Marking Code  
3
D
KE XX  
G
Lot Traceability  
and Date Code  
2
Part # Code  
S
Top View  
Ordering Information: Si1300BDL-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si1300BDL-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
8
TC = 25 °C  
0.4  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
0.32  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
0.37b, c  
0.30b, c  
0.5  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
0.18  
0.14b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TC = 25 °C  
0.2  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
0.14  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
0.19  
TA = 70 °C  
0.12b, c  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
670  
Unit  
t 5 s  
540  
450  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
RthJF  
570  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 360 °C/W.  
Document Number: 73557  
S11-2000-Rev. D, 10-Oct-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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