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SHXXC450

更新时间： 2024-11-18 09:26:27

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HIRECT		整流二极管
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5页	72K
描述
Capsule Type Rectifier Diode

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SHXXC450 数据手册

Capsule Type Rectifier Diode SHXXC450

T_J(⁰C)

Symbol

Characteristics

Conditions

Value

Unit

BLOCKING PARAMETERS

V_RRM

I_RRM

Repetitive peak reverse voltage

Repetitive peak reverse current

170

200-1800

V = V_RRM

CONDUCTING PARAMETERS

180 sine, 50H_Z,

T_C= 95⁰C

I_F(AV)

Average on-state current

RMS on-state current

450

I_RMS

I_FSM

700

Non repetitive peak surge on-

state current

4900

Sine wave, 10mS

without reverse

voltage

170

I²t

kA²S

Permissible surge energy

120

On-state

current = 1500A

V_FM

Peak on-state voltage drop

1.52

Typical forward conduction

Threshold voltage

Typical forward slope resistance

V₀

r₀

170

0.70

mΩ

THERMAL & MECHANICAL PARAMETERS

Thermal impedance, 180⁰

R_{TH (J-C)}

⁰C/W

⁰C

Junction to case

Case to heatsink

0.112

0.015

170

conduction, Sine

R_{TH (C-HK)}

Thermal impedance

Maximum Permissible junction

temperature

T_J

T_STG

⁰C

Storage temperature range

-40 – 170

6.5

Mounting Torque

Weight

gms

1 of 5

H I N D R E C T I F I E R S L T D

12 3 4 5

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