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SHXXC1130

更新时间: 2024-11-17 06:11:31
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HIRECT 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 73K
描述
Capsule Type Rectifier Diode

SHXXC1130 数据手册

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Capsule Type Rectifier Diode SHXXC1130  
TJ(0C)  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Value  
Unit  
BLOCKING PARAMETERS  
VRRM  
IRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
Repetitive peak reverse current  
160  
160  
200-1800  
30  
V
mA  
V = VRRM  
CONDUCTING PARAMETERS  
180 sine, 50HZ,  
TC = 650C  
IF(AV)  
Average on-state current  
RMS on-state current  
1130  
A
IRMS  
IFSM  
1775  
A
A
Non repetitive peak surge on-  
state current  
11000  
Sine wave, 10mS  
without reverse  
voltage  
160  
160  
I2t  
kA2S  
V
Permissible surge energy  
605  
On-state  
current = 3000A  
VFM  
Peak on-state voltage drop  
1.83  
Typical forward conduction  
Threshold voltage  
Typical forward slope resistance  
V0  
r0  
160  
160  
0.78  
0.35  
V
mΩ  
THERMAL & MECHANICAL PARAMETERS  
Thermal impedance, 1800  
RTH (J-C)  
0C/W  
0C/W  
0C  
Junction to case  
Case to heatsink  
0.045  
0.015  
160  
conduction, Sine  
RTH (C-HK)  
Thermal impedance  
Maximum Permissible junction  
temperature  
TJ  
TSTG  
0C  
Storage temperature range  
-40 – 160  
6.5  
F
Mounting Torque  
Weight  
KN  
W
90  
gms  
1 of 5  
H I N D R E C T I F I E R S L T D  

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