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SHV-02V1

更新时间： 2024-11-21 14:08:31

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三垦 - SANKEN		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	45K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.002A, Silicon

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SHV-02V1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.002 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.18 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

SHV-02V1 数据手册

High-Voltage Rectifier Diodes

Electrical Characteristics (Ta=25°C)

Absolute Maximum Ratings

Others

Parameter

I_FSM

(A)

50Hz

Half-cycle Sinewave

Single Shot

(°C)

Tstg

(°C)

V_F

I_R

I_{R (H)}

(µs)

(V)

(µA)

V_RM

(kV)

I_{F (AV)}

(mA)

Mass

(g)

Fig. Remarks

Type No.

V_R=VRM

max

V_R=VRM

100°C max

I_F

I_F/I_RP

max

Ta =100°C

(mA)

SHV-02

SHV-03S

SHV-03

0.3

0.13

0.16

SHV-10

SHV-12

SHV-14

SHV-16

SHV-20

SHV-24

SHV-06EN

SHV-08EN

SHV-10EN

SHV-12EN

SHV-08DN

SHV-10DN

SHV-12DN

For general

FBT

–40 to

+120

100

0.18

0.15

10/10

—

0.5

0.33

2.0

TV high

voltage

rectifier

Capacitive

load

0.17

For high-

frequency

layer-built

FBT

–40 to

+120

0.20

0.5

100

10/10

0.20

0.17

0.20

For Ultra

high-frequency

layer-built FBT

–40 to

+120

0.15

—

10/10

—

–40 to

+130

For

=9.5 to15kV

HVR-1X-40B

UX-F0B

Microwave Oven

(Ta)

350

2.5

For Inverter-type

Microwave Oven

–30 to

+130

V =8.5kV min. 0.18 100/100

Marking (Cathode Mark)

Pattern Color

Type No.

SHV-02

External Dimensions

(Unit: mm)

Fig. A

27min

White

Red

SHV-03S

Fig.

27min

White

SHV-03

SHV-06EN

White

6.5

27min

SHV-08EN

SHV-08DN

SHV-10EN

SHV-10DN

SHV-12EN

SHV-12DN

White

Red

Fig. D

White

Red

27min

White

Red

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