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SHD739601 PDF预览

SHD739601

更新时间： 2024-09-23 20:00:11
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 局域网栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 51K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, SHD-6, 3 PIN

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SHD739601 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.81最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1000 V配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-XUFM-X3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1520 ns标称接通时间 (ton)：350 ns
Base Number Matches：1

SHD739601 数据手册

 浏览型号SHD739601的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SHD739601的Datasheet PDF文件第3页 
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
SHD739601  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 2049, REV. -  
Formerly part number –SHSMG1010  
1000 VOLT, 50 AMP IGBT DEVICE  
HIGH SPEED, LOW VCE IGBT  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
IGBT SPECIFICATIONS  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
IC = 3 mA, VGE = 0V  
BVCES  
1000  
-
-
-
-
V
A
Continuous Collector Current  
TC = 25 OC  
IC  
50  
25  
O
TC = 90 C  
Pulsed Collector Current, 1mS  
ICM  
ICM  
-
-
-
-
100  
50  
A
A
RBSOA  
VGE = 15V, VCE = 800V, T = 125 OC  
j
L = 100 uH, Clamped Inductive Load  
Gate to Emitter Voltage  
VGE  
-
-
-
-
-
+/-20  
+/- 100  
5.0  
V
nA  
V
Gate-Emitter Leakage Current, VGE = +/-20V  
IGES  
Gate Threshold Voltage, IC= 0.25 mA, VCE = VGE  
Zero Gate Voltage Collector Current  
VCE = 800 V, VGE=0V T=25oC  
VGE(TH)  
ICES  
2.5  
-
-
-
-
i
0.25  
1.0  
mA  
mA  
VCE = 800 V, VGE=0V T=125oC  
i
Collector to Emitter Saturation Voltage,  
TC = 25 OC  
TC = 125 OC  
3.5  
3.8  
4.0  
4.5  
VCE(SAT)  
-
-
V
IC = 25A, VGE = 15V,  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Cap.  
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
2750  
200  
50  
-
pF  
Turn On Delay Time  
Rise Time  
Turn Off Delay Time  
Fall Time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
-
-
-
100  
250  
720  
800  
-
-
-
-
nsec  
Turn off Energy Loss  
O
Eoff  
Eon  
8.0  
3.5  
-
-
T = 125 C, IC = 25A, VGE = 15V, inductive load,  
mJ  
mJ  
j
-
-
VCE = 800 V, RG = 33 W  
Maximum Thermal Resistance  
-
-
0.60  
oC/W  
RqJC  
· 221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729 3 (631) 586 7600 FAX (631) 242 9798 ·  
· World Wide Web Site - http://www.sensitron.com · E-mail Address - sales@sensitron.com ·  
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