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SHD724602

更新时间： 2024-09-23 21:04:35
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 局域网栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, TO-258, 3 PIN

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SHD724602 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-258AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.81
最大集电极电流 (IC)：45 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码：TO-258AA
JESD-30 代码：R-XSFM-P3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：210 ns
标称接通时间 (ton)：30 nsBase Number Matches：1

SHD724602 数据手册

 浏览型号SHD724602的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SHD724602的Datasheet PDF文件第3页 
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
SHD724602  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 4205, REV-  
600 VOLT, 70 AMP IGBT DEVICE  
VERY HIGH SPEED  
WITH ULTRAFAST REVERSE RECOVERY DIODE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Tj=250C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
IGBT SPECIFICATIONS  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
IC = 250 mA, VGE = 0V  
BVCES  
600  
-
-
-
-
V
A
O
Continuous Collector Current  
TC = 25 C IC  
45 (1)  
30  
TC = 90  
OC  
Pulsed Collector Current, 1msec  
ICM  
-
-
-
-
-
-
150  
+/-20  
+/- 100  
5.0  
A
V
Gate to Emitter Voltage  
VGE  
Gate-Emitter Leakage Current, VGE = +/-20V  
IGES  
-
nA  
V
Gate Threshold Voltage, IC= 250 mA  
VGE(TH)  
ICES  
2.5  
Zero Gate Voltage Collector Current  
VCE = 600 V, VGE=0V T=25oC  
-
-
-
-
i
0.2  
3.0  
mA  
mA  
VCE = 480 V, VGE=0V T=125oC  
i
Collector to Emitter Saturation Voltage,  
OC  
TC = 25  
VCE(SAT)  
-
2.2  
2.0  
2.5  
-
V
IC = 24A, VGE = 15V,  
OC  
TC = 125  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Cap.  
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
-
1500  
145  
40  
-
pF  
Turn On Delay Time  
Rise Time  
Turn Off Delay Time  
Fall Time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
-
-
-
13  
17  
130  
80  
-
-
-
nsec  
Turn off Energy Loss  
Eoff  
Eon  
(T = 125 OC, I = 24A, VGE = 15V, inductive load, VCC  
400 V, RG = 5 W  
=
-
mJ  
mJ  
0.38  
0.22  
j
C
-
-
-
Maximum Thermal Resistance  
RqJC  
-
-
-
0.85  
150  
oC/W  
oC  
Maximum and Storage Junction Temperature  
T
jmax  
-55  
· 221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729 3 (631) 586 7600 FAX (631) 242 9798 ·  
· World Wide Web Site - http://www.sensitron.com · E-mail Address - sales@sensitron.com ·  
123

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与SHD724602相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SHD739601 SENSITRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, SHD-6, 3 PIN
SHD763701 SENSITRON

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 		WITH FAST REVERSE RECOVERY DIODE
SHD8 CIT

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 		CIT SWITCH
SHD830004 SENSITRON

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 		Three-Phase MOSFET/IGBT Bridge Driver
SHD830301 SENSITRON

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 		Standard Three-Phase MOSFET/IGBT Bridge Driver
SHD833001 SENSITRON

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 		Half Bridge Based MOSFET Driver, 6A, BCDMOS, CDIP8, 8 PIN
SHD834004 SENSITRON

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 		HERMETIC HALF-BRIDGE MOSFET/IGBT GATE Driver
SHD849401 SENSITRON

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 		Space Level Transistor Array/Transistor Driver
SHD850001 SENSITRON

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 		6A-Peak Low Side MOSFET Driver Bipolar/CMOS/DMOS Process
SHD850001S SENSITRON

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 		Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 6A, BCD, CDFP10, CERPACK-10

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