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SHD626051N-G

更新时间： 2024-09-23 19:49:39
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 204K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257AA, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN

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SHD626051N-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.67其他特性：PD-CASE
应用：POWER配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON CARBIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.8 VJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-XSFM-P3湿度敏感等级：1
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：40 W最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：150 µA表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SHD626051N-G 数据手册

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SHD626051  
SHD626051P  
SHD626051N  
SHD626051D  
SENSITRON  
__  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 4074, REV. H.1  
HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER  
DESCRIPTION: A 600-VOLT, 20 AMP POWER SILICON CARBIDE RECTIFIER IN A HERMETIC TO-257  
PACKAGE AVAILABLE SCREENED TO ANY REQUIRED LEVEL  
FEATURES:  
NO RECOVERY TIME OR REVERSE RECOVERY LOSSES  
NO TEMPERATURE INFLUENCE ON SWITCHING BEHAVIOR  
High Frequency Option - Non-magnetic Glidcop leads are available for improved performance at  
high frequency; use part number prefix SHDG  
Ceramic Seal Option – For ceramic seals use part number prefix SHDC  
ROHS Compliant Option – For ROHS compliant option (lead finish only), use suffix -G  
MAXIMUM RATINGS  
RATING  
ALL RATINGS ARE @ TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.  
SYMBOL  
MAX.  
600  
20  
UNITS  
Volts  
PEAK INVERSE VOLTAGE  
PIV  
IO  
MAXIMUM DC OUTPUT CURRENT (With TC = 65 OC for P and N suffixes)  
Amps  
Amps  
Amps  
MAXIMUM DC OUTPUT CURRENT (With TC = 65 OC for Single and D suffixes)  
IO  
10  
MAXIMUM REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT PER LEG  
(t = 8.3ms, Sine) per leg, TC = 25 OC  
IFRM  
50  
MAXIMUM POWER DISSIPATION, TC = 25 OC,  
Pd  
40  
2.5  
W
C/W  
C  
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE, Junction to Case PER LEG  
MAXIMUM OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE RANGE*  
RJC  
Top, Tstg  
-55 to 200  
* Note: SiC semiconductors will handle at or above this operating and storage temperature. However, extended operational use of the  
packaged device above 175C may reduce its future performance. All qualification testing and screening per MIL-PRF-19500 will only be  
performed to 175C.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
CHARACTERISTIC  
TYP  
MAX.  
UNITS  
Volts  
1.65  
2.05  
1.80  
2.20  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE DROP  
Pulsed (If = 10 A PER LEG) Vf  
TJ = 25C  
TJ = 150 C  
1.35  
1.60  
1.45  
1.70  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE DROP  
Pulsed (If = 6 A PER LEG) Vf  
TJ = 25C  
Volts  
TJ = 150 C  
0.04  
0.08  
0.15  
0.50  
MAXIMUM REVERSE CURRENT (Ir @ 600V PIV PER LEG) TJ = 25 C  
TJ = 150 C  
mA  
pF  
JUNCTION CAPACITANCE CT) (Vr =5V) per leg  
TOTAL CAPACITIVE CHARGE  
CT  
250  
35  
350  
N/A  
QC per leg  
nC  
(VR=600V IF=20A di/dt=500A/s TJ=25C) This is design information only  
© 2015 Sensitron Semiconductor · 221 West Industry Court · Deer Park, NY 11729-4681  
Phone (631) 586 7600 · Fax (631) 242 9798 · www.sensitron.com · sales@sensitron.com  
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SHD626051P SENSITRON

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 		HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER
SHD626150 SENSITRON

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 		HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER
SHD626150D SENSITRON

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 		HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER
SHD626150N SENSITRON

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 		HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER
SHD626150P SENSITRON

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 		HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER
SHD626160 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, Silicon Carbide, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-2
SHD626160D SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, Silicon Carbide, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-2
SHD626160N SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, Silicon Carbide, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-2
SHD626160P SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, Silicon Carbide, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-2
SHD626532 SENSITRON

获取价格

 		DESCRIPTION: A 1200, Min VOLT, 20 AMP POWER SILICON CARBIDE Nch FET IN AN ISOLATED HERMETI

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