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SHD626051N PDF预览

SHD626051N

更新时间： 2024-09-23 04:04:51
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 整流二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 464K
描述
HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER

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SHD626051N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-257AA
包装说明：HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.35
Is Samacsys：N其他特性：PD-CASE
应用：POWER配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON CARBIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.8 VJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-XSFM-P3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：40 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：150 µA表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SHD626051N 数据手册

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SHD626051  
SHD626051P  
SHD626051N  
SHD626051D  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 4074, REV. D  
HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER  
DESCRIPTION: A 600-VOLT, 20 AMP POWER SILICON CARBIDE RECTIFIER IN A HERMETIC TO-257  
PACKAGE AVAILABLE SCREENED TO ANY REQUIRED LEVEL  
FEATURES:  
·
·
·
NO RECOVERY TIME OR REVERSE RECOVERY LOSSES  
NO TEMPERATURE INFLUENCE ON SWITCHING BEHAVIOR  
High Temperature Option - Maximum operation & storage temperature can be increased to 250oC;  
use part number prefix as SHDT  
High Frequency Option - Non-magnetic Glidcop leads are available for improved performance at  
high frequency; use part number prefix SHDG  
Ceramic Seal Option – For ceramic seals use part number prefix SHDC  
·
·
MAXIMUM RATINGS  
RATING  
ALL RATINGS ARE @ TC = 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.  
SYMBOL  
MAX.  
600  
UNITS  
Volts  
PEAK INVERSE VOLTAGE  
PIV  
IO  
MAXIMUM DC OUTPUT CURRENT (With TC = 65 OC, for part numbers with P and  
N suffixes)  
20  
Amps  
MAXIMUM DC OUTPUT CURRENT (With TC = 65 OC, for part numbers with Single  
and D suffixes)  
10  
50  
IO  
Amps  
Amps  
Amps  
MAXIMUM REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT PER LEG  
(t = 8.3ms, Sine) per leg, TC = 25 OC  
IFRM  
MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT PER LEG  
IFSM  
250  
(t = 10ms, Pulse) per leg, TC = 25 OC  
pF  
W
MAXIMUM JUNCTION CAPACITANCE (V =5V) per leg  
CT  
Pd  
350  
40  
r
MAXIMUM POWER DISSIPATION, TC = 25 OC,  
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE, Junction to Case (PER DUAL PACKAGE  
For Common Cathode/Anode Configurations)  
2.1  
Rq  
°C/W  
JC  
MAXIMUM OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE RANGE  
Top, Tstg  
-55 to  
+175  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
CHARACTERISTIC  
TYP  
MAX.  
UNITS  
Volts  
1.65  
1.85  
1.75  
1.95  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE DROP  
TJ = 25°C  
Pulsed (If = 10 A PER LEG) V  
TJ = 150 °C  
f
1.35  
1.50  
1.45  
1.60  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE DROP  
TJ = 25°C  
Volts  
Pulsed (If = 6 A PER LEG) V  
TJ = 150 °C  
f
0.04  
0.08  
0.15  
0.50  
MAXIMUM REVERSE CURRENT (Ir @ 600V PIV PER LEG) TJ = 25 °C  
TJ = 150 °C  
mA  
nC  
40  
N/A  
TOTAL CAPACITIVE CHARGE (VR=600V IF=10A di/dt=500A/ms TJ=25°C) QC per  
leg  
· 221 WEST INDUSTRY COURT · DEER PARK, NY 11729-4681 · PHONE (631) 586-7600 · FAX (631) 242-9798 ·  
· World Wide Web - http://www.sensitron.com · E-mail Address - sales@sensitron.com ·  
1234

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与SHD626051N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SHD626051N-G SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257AA, ROHS COM
SHD626051P SENSITRON

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 		HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER
SHD626150 SENSITRON

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 		HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER
SHD626150D SENSITRON

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 		HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER
SHD626150N SENSITRON

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 		HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER
SHD626150P SENSITRON

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 		HERMETIC SILICON CARBIDE RECTIFIER
SHD626160 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, Silicon Carbide, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-2
SHD626160D SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, Silicon Carbide, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-2
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, Silicon Carbide, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-2
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, Silicon Carbide, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-2

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