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SHD431108

更新时间： 2024-09-21 21:08:27
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 50K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC, LCC-3

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SHD431108 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DLCC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.88最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-CDSO-N3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

SHD431108 数据手册

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SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
SHD431108  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 2039, REV -  
SMALL SIGNAL TRANSISTOR - NPN  
(Electrically Equivalent to 2N5551)  
DESCRIPTION: A SINGLE NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN A CERAMIC LCC-3 PACKAGE.  
MAXIMUM RATINGS  
RATING  
(ALL RATINGS ARE AT T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED).  
A
CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
-
-
-
160  
Vdc  
Collector-Emitter Voltage  
(VCEO  
(VCBO  
(VEBO  
)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180  
6.0  
600  
2
Vdc  
Vdc  
mAdc  
W
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
)
)
Collector Current-Continuous  
Total Power Dissipation  
(IC)  
PD @ TC = 25°C  
12  
mW/°C  
Derate above 25°C  
-
-
-
-
-
85  
+175  
Thermal Resist. Junction to Case  
Operating Junction  
and Storage Temp.  
RθJC  
°C/W  
°C  
-65  
(TJ & Tstg)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
OFF CHARACTERISTICS  
(ALL ELECTRICAL CHARACTERISTICS T = 25°C)  
A
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO (1)  
160  
180  
6.0  
-
-
-
-
-
-
Vdc  
Vdc  
Vdc  
IC = 1.0mAdc, IB = 0  
IC = 100µAdc, IE = 0  
IE = 10µAdc, IE = 0  
VCB = 120Vdc, IE = 0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
(ICBO  
-
-
-
-
50  
50  
µAdc  
µAdc  
)
VCB = 120Vdc, IE = 0,  
TA = 100°C  
-
-
50  
nAdc  
-
Emitter Cutoff Current  
(IEBO  
)
VEB = 4.0Vdc, IC = 0  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(hFE)  
-
IC = 1.0 mAdc  
80  
80  
30  
IC = 10 mAdc (1)  
IC = 50 mAdc (1)  
250  
300  
6.0  
DYNAMIC CHARACTERISTICS (SMALL SIGNAL)  
Current Gain, Bandwidth (fT)  
(2)  
VCE = 10Vdc, IC =  
10mAdc,  
100  
-
-
-
MHz  
pF  
f = 100MHz  
VCB = 10Vdc, IE =0,  
f = 1.0 MHz  
Output Capacitance (Cobo  
)
•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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