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SHD314914BSSQ

更新时间： 2024-11-08 18:17:03

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
3页	172K
描述
Rectifier Diode,

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SHD314914BSSQ 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	S-XSSO-G1
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
其他特性：	LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.12 V	JESD-30 代码：	S-XSSO-G1
最大非重复峰值正向电流：	720 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	60 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	300 V
最大反向电流：	30 µA	最大反向恢复时间：	0.06 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SHD314914BSSQ 数据手册

SHD314914

SHD314914B

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 5580 REV. -

HERMETIC ULTRA FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER

Features:



Low forward voltage drop

Low power loss, high efficiency

Very high surge capacity

Soft reverse recovery at low and high temperature

Trr guaranteed lower than 50 nsec

Electrically / mechanically stable during and after packaging

Maximum Ratings:

Characteristics

Peak Inverse Voltage

Max. Average Forward

Current

Symbol

V_RWM

I_F(AV)

Condition

50% duty cycle, rectangular wave

Max.

300

Units

form, T_C= 65 C

Max. Peak One Cycle Non-

Repetitive Surge Current

Thermal Impedance

Max. Junction Temperature

I_FSM

8.3 msec, sine pulse

720

Z_TH

T_J

T_stg

0.5

T_C= 25 C

C / W

C

- 65 to + 150

Max. Storage Temperature

Electrical Characteristics:

Characteristics

Symbol

Condition

@ 20A, Pulse, T_J= 25 C

@ 60A, Pulse, T_J= 25 C

Typ.

0.85

1.02

Max.

0.93

1.12

Units

Max. Forward Voltage Drop

V_F1

V_F2

0.82

1.05

@ 20A, Pulse, T_J= 125 C

@ 60A, Pulse, T_J= 125 C

I_R1

I_R2

t_RR

300

@V_R= 300V, Pulse, T_J= 25 C

@V_R= 300V, Pulse, T_J= 125 C

I_F= 0.5A; I_R= 1.0A, I_RM= 0.25A

I_F=20A, di/dt =100A/μs, V_R=100V

A

nsec

Max. Reverse Current

Reverse Recovery Time

T_J= 25 C

Max. Junction Capacitance

C_T

400

@V_R= 10V, T_C= 25 C

f_SIG= 1MHz,

I_SIG= 100mV (p-p)

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