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SHD314889

更新时间： 2024-11-18 21:12:55
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SHD-3, 1 PIN

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SHD314889 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, SHD-3, 1 PIN
针数：1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：LOW POWER LOSS配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：S-XXSO-N1元件数量：1
端子数量：1最高工作温度：165 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1100 V最大反向恢复时间：2.1 µs
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SHD314889 数据手册

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SHD314889  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 4202, REV. -  
HERMETIC FAST RECOVERY RECTIFIER  
HIGH VOLTAGE  
Features:  
·
·
·
·
·
·
·
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
Very High Surge Capacity  
Very suitable for medium frequency applications (upto 10 kHz)  
Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature  
Trr guaranteed lower than 2.5 msec  
Electrically / Mechanically Stable during and after Packaging  
Maximum Ratings:  
Characteristics  
Symbol  
VRWM  
IF(AV)  
Condition  
-
50% duty cycle, rectangular  
wave form, TC = 65 °C  
8.3 msec, sine pulse  
Max.  
1100  
80  
Units  
V
A
Peak Inverse Voltage  
Max. Average Forward  
Current  
Max. Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
Thermal Impedance  
IFSM  
720  
0.5  
A
ZTH  
TJ  
Tstg  
TC = 25 °C  
°C / W  
Max. Junction Temperature  
Max. Storage Temperature  
-
-
- 40 to + 165  
- 55 to + 175  
°C  
°C  
Electrical Characteristics:  
Characteristics  
Symbol  
Condition  
Typ.  
Max.  
Units  
Max. Forward Voltage Drop  
VF1  
1.25  
1.4  
V
@ 80A, Pulse, TJ = 25 °C  
VF2  
IR1  
-
1.25  
5.0  
V
@ 80A, Pulse, TJ = 125 °C  
@VR = 1000V, Pulse,  
TJ = 25 °C  
1.5  
mA  
Max. Reverse Current  
IR2  
@VR = 1000V, Pulse,  
TJ = 125 °C  
-
15  
mA  
Reverse Recovery Time  
TRR  
1.6  
2.1  
IF = 40A; di/dt = 25A / msec;  
VR = 100V  
msec  
TJ = 25 °C  
Reverse Recovery Current  
Max. Junction Capacitance  
IRM  
27  
40  
-
A
IF = 40A; di/dt = 25A / msec;  
VR = 100V  
TJ = 25 °C  
@VR = 0V, TC = 25 °C  
fSIG = 1MHz,  
CT  
650  
pF  
ISIG = 100mV (p-p)  
· 221 WEST INDUSTRY COURT · DEER PARK, NY 11729-4681 · PHONE (516) 586-7600 · FAX (516) 242-9798 ·  
· World Wide Web Site - http://www.sensitron.com · E-mail Address - sales@sensitron.com ·  
123

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