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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SHD123668P
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SHD123668P

更新时间： 2024-11-09 04:51:59
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 85K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER Very Low Reverse Leakage

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SHD123668P 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.82其他特性：HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：1000 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：150 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SHD123668P 数据手册

 浏览型号SHD123668P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SHD123668P的Datasheet PDF文件第3页 
SHD123668P  
SHD123668N  
SHD123668D  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 4669, REV. PRELIMINARY  
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
Very Low Reverse Leakage  
Applications:  
• Switching Power Supply • Converters • Free-Wheeling Diodes • Polarity Protection Diode  
Features:  
•
Ultra Low Reverse Leakage Current  
•
•
•
•
•
•
•
Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature  
Very Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capacity  
Guard Ring for Enhanced Durability and Long Term Reliability  
Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics  
Out Performs 200 Volt Ultra Fast Rectifiers  
Maximum Ratings:  
Characteristics  
Symbol  
VRWM  
IF(AV)  
Condition  
-
Max.  
15  
150  
Units  
V
A
Peak Inverse Voltage  
Max. Average Forward  
Current  
50% duty cycle, rectangular  
wave form Common Cathode  
(N)/Common Anode(P)  
50% duty cycle, rectangular  
wave form Doubler (D)  
8.3 ms, half Sine wave  
(per leg)  
TJ = 25 °C, IAS = 1.3 A,  
L = 40mH (per leg)  
IAS decay linearly to 0 in 1 µs  
ƒ limited by TJ max VA=1.5VR  
Max. Average Forward  
Current  
Max. Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
Non-Repetitive Avalanche  
Energy  
IF(AV)  
IFSM  
EAS  
IAR  
120  
1000  
27  
A
A
mJ  
A
Repetitive Avalanche  
Current  
1.3  
Thermal Resistance  
Max. Junction Temperature  
Max. Storage Temperature  
RthJC  
TJ  
Tstg  
Per Package  
0.2  
-65 to +100  
-65 to +100  
°C/W  
°C  
°C  
-
-
Electrical Characteristics:  
Characteristics  
Symbol  
Condition  
Max.  
Units  
Max. Forward Voltage Drop  
VF1  
0.51  
V
@ 120A, Pulse, TJ = 25 °C  
(per leg) measured at the leads  
VF2  
IR1  
IR2  
CT  
0.47  
40  
V
@ 120A, Pulse, TJ = 125 °C  
(per leg) measured at the leads  
@VR = 15V, Pulse,  
TJ = 25 °C (per leg)  
@VR = 15V, Pulse,  
Max. Reverse Current  
mA  
mA  
pF  
2000  
7200  
TJ = 125 °C (per leg)  
Max. Junction Capacitance  
@VR = 5 V, TC = 25 °C  
fSIG = 1 MHz,  
VSIG = 50mV (p-p) (per leg)  
Due to the nature of the 15V Schottky devices, some degradation in trr performance at high temperatures should be  
expected, unlike conventional lower voltage Schottkys.  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •  
• World Wide Web - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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