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SHD123636D

更新时间： 2024-09-22 03:57:35
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER Low Reverse Leakage

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SHD123636D 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.82其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：1650 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：120 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SHD123636D 数据手册

 浏览型号SHD123636D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SHD123636D的Datasheet PDF文件第3页 
SHD123636P  
SHD123636N  
SHD123636D  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 1042, REV. PRELIMINARY  
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
Low Reverse Leakage  
Applications:  
œ Switching Power Supply œ Converters œ Free-Wheeling Diodes œ Polarity Protection Diode  
Features:  
œ
Ultra Low Reverse Leakage Current  
œ
œ
œ
œ
œ
œ
œ
Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature  
Very Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capacity  
Guard Ring for Enhanced Durability and Long Term Reliability  
Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics  
Out Performs 200 Volt Ultra Fast Rectifiers  
Maximum Ratings:  
Characteristics  
Symbol  
VRWM  
IF(AV)  
Condition  
-
Max.  
200  
150  
Units  
V
A
Peak Inverse Voltage  
Max. Average Forward  
Current  
50% duty cycle, rectangular  
wave form Common Cathode  
(N)/Common Anode(P)  
50% duty cycle, rectangular  
wave form Doubler (D)  
8.3 ms, half Sine wave  
(per leg)  
TJ = 25 •C, IAS = 1.3 A,  
L = 40mH (per leg)  
IAS decay linearly to 0 in 1 ms  
‹ limited by TJ max VA=1.5VR  
Per Package  
Max. Average Forward  
Current  
Max. Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
Non-Repetitive Avalanche  
Energy  
IF(AV)  
IFSM  
EAS  
IAR  
120  
1650  
27  
A
A
mJ  
A
Repetitive Avalanche  
Current  
1.3  
Thermal Resistance  
Max. Junction Temperature  
Max. Storage Temperature  
RthJC  
TJ  
Tstg  
0.2  
-65 to +175  
-65 to +175  
•C/W  
•C  
•C  
-
-
Electrical Characteristics:  
Characteristics  
Symbol  
Condition  
@ 120A, Pulse, TJ = 25 •C  
(per leg) measured at the leads  
Max.  
1.07  
Units  
V
Max. Forward Voltage Drop  
VF1  
VF2  
IR1  
IR2  
CT  
0.91  
0.6  
V
@ 120A, Pulse, TJ = 125 •C  
(per leg) measured at the leads  
@VR = 200V, Pulse,  
TJ = 25 •C (per leg)  
@VR = 200V, Pulse,  
TJ = 125 •C (per leg)  
@VR = 5 V, TC = 25 •C  
fSIG = 1 MHz,  
Max. Reverse Current  
mA  
mA  
pF  
6.0  
Max. Junction Capacitance  
1800  
VSIG = 50mV (p-p) (per leg)  
Due to the nature of the 200V Schottky devices, some degradation in trr performance at high temperatures should  
be expected, unlike conventional lower voltage Schottkys.  
œ 221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729-4681 3 (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 œ  
œ World Wide Web Site - http://www.sensitron.com œ E-Mail Address - sales@sensitron.com œ  
123

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