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SHB80F

更新时间: 2024-11-28 20:52:47
品牌 Logo 应用领域
SSDI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 188K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.025A, 8000V V(RRM), Silicon,

SHB80F 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):13 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.025 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:8000 V最大反向恢复时间:0.15 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

SHB80F 数据手册

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