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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 50 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V | 最大维持电流： | 150 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 350000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 250 µA | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SH8J31 (开发中) | ROHM |
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SH8J31是将2个中功率Pch MOSFET复合的开关、电机驱动用MOSFET。 |
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| SH8J62 | ROHM |
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4V Drive Pch+Pch MOSFET |
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| SH8J62TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.056ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| SH8J65 | ROHM |
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4V Drive Pch+Pch MOSFET |
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| SH8J65_11 | ROHM |
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4V Drive Pch+Pch MOSFET |
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| SH8J65TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SH8J65TB1 | ROHM |
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MOSFET P-CH DUAL 30V 7A SOP8 |
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| SH8J66 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Pch+Pch MOSFET |
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| SH8JB5 | ROHM |
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SH8JB5是适用于开关应用低导通电阻的MOSFET。 |
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| SH8JC5 | ROHM |
获取价格 |
SH8JC5是适用于开关应用低导通电阻的MOSFET。 |
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