生命周期: | Obsolete | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | HIGH SPEED | 外壳连接: | ANODE |
标称电路换相断开时间: | 15 µs | 配置: | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率: | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 150 mA |
最大直流栅极触发电压: | 3 V | 最大维持电流: | 200 mA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-H3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 236 A |
重复峰值关态漏电流最大值: | 30000 µA | 断态重复峰值电压: | 300 V |
重复峰值反向电压: | 300 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
SH150F-3.00-25 | NUVOTEM TALEMA | General Purpose Inductor, 25uH, 20%, 6769, |
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SH150G11 | TOSHIBA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),235A I(T),STF-M24 |
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SH150G13A | TOSHIBA | Silicon Controlled Rectifier, 236 A, 400 V, SCR |
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SH150J11 | TOSHIBA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),235A I(T),STF-M24 |
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SH150J13A | TOSHIBA | Silicon Controlled Rectifier, 236 A, 600 V, SCR |
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SH150L11 | TOSHIBA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),235A I(T),STF-M24 |
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