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SGTQ120V75SDB1PWD

更新时间: 2024-11-18 18:10:03
品牌 Logo 应用领域
士兰微 - SILAN 光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 583K
描述
TO-247PD-3L

SGTQ120V75SDB1PWD 数据手册

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士兰微电子  
SGTQ120V75SDB1PWD 说明书  
120A750V绝缘栅双极型晶体管  
C
2
描述  
SGTQ120V75SDB1PWD 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五  
代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该  
产品可应用于光伏,UPSSMPS 以及 PFC 等领域。  
1
G
3
特点  
E
120A750VVCE(sat)(典型值 =1.45V@IC=120A  
)
低导通损耗  
快开关速度  
高输入阻抗  
TO-247PD-3L  
TJmax=175C  
封装背面适用于 245C3 次回流焊接  
命名规则  
SGT Q 120 V 75 S D B 1 PWD  
士兰IGBT系列  
汽车级  
封装形式,如  
PW D: TO-247PD-3L  
电流规格,:  
120表示120A等  
1,2,3  : 版本号  
: 标准二极管(Standard)  
N : N沟平面栅  
M : 标准二极管、全电流规格(Standard Full)  
R : 快速二极管(Rapid)  
B : 快速二极管、全电流规格(Rapid Full)  
S : 超软二极管、全电流规格(Soft Full)  
NE : N沟平面栅带ESD  
T : Field Stop 34  
U : Field Stop 4+  
V : Field Stop 5  
W: Field Stop 5+  
X : Field Stop 6  
Y : Field Stop 7  
D : 合封二极管  
R : 集成二极管(RC IGBT)  
: IGBT芯片  
电压规格 ,如:  
75表示750V  
120表示1200V等  
C : Sic二极管  
L : 超低速,推荐频率~2KHz  
Q : 低速,推荐频率2~20K  
S : 标准,推荐频率5~40K  
F : 高速,推荐频率10~60K  
UF : 超高速,推荐频率40K~  
I : 点火器  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
打印名称  
Q120V75SDB1  
环保等级  
包装方式  
SGTQ120V75SDB1PWD  
TO-247PD-3L  
无卤  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.0  
12 页 第 1 页  
http: //www.silan.com.cn