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SGT30T60SD1FD

更新时间： 2024-10-02 18:09:39

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士兰微 - SILAN		/
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描述
TO-220FD-3L

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SGT30T60SD1FD 数据手册

士兰微电子

SGT30T60SD1F 说明书

30A、600V绝缘栅双极型晶体管

描述

SGT30T60SD1F 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止

（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应

用于 UPS,SMPS,电动工具以及 PFC 等领域。

特点



30A，600V，V_CE(sat)(_典型值=1.65V@I_C=30A

)

低导通损耗

快开关速度

高输入阻抗

TO-220F-3L

TO-220FD-3L

命名规则

SGT 30 T 60 S D 1 F

士兰IGBT系列

封装形式,如

F : TO-220F-3L

电流规格,如:

70表示70A等

1,2,3… : 版本号

N : N沟平面栅

空: 标准二极管（Standard）

M : 标准二极管、全电流规格（Standard Full）

R : 快速二极管（Rapid）

B : 快速二极管、全电流规格（Rapid Full）

S : 超软二极管、全电流规格（Soft Full）

NE : N沟平面栅带ESD

T : Field Stop 3和4

U : Field Stop 4+

V : Field Stop 5

W: Field Stop 6

X : Field Stop 7

D : 合封二极管

电压规格，如:

65表示650V

120表示1200V等

R : 集成二极管（RC IGBT）

L : 超低速，推荐频率~2KHz

Q : 低速，推荐频率2~20KHz

S : 标准，推荐频率5~40KHz

F : 高速，推荐频率10~60KHz

UF : 超高速，推荐频率40KHz~

产品规格分类

产品名称

SGT30T60SD1F

SGT30T60SD1FD

封装形式

打印名称

环保等级

无铅

包装

料管

TO-220F-3L

TO-220FD-3L

30T60SD1F

无铅

30T60SD1FD

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 9 页第 1 页

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