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SGT10T65SDM1F

更新时间： 2024-06-27 12:13:09

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士兰微 - SILAN		/
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9页	350K
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TO-220F-3L

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SGT10T65SDM1F 数据手册

士兰微电子

SGT10T65SDM1F 说明书

10A、650V绝缘栅双极型晶体管

描述

SGT10T65SDM1F 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截

止（Field StopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可

应用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。

特点



10A，650V，VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=10A

低导通损耗

快开关速度

高输入阻抗

TO-220F-3L

命名规则

SGT 10 T 65 S D M 1 F

士兰IGBT系列

封装形式,如

F:TO-220F-3L

电流规格,如:

70表示70A等

1,2,3„ : 版本号

N : N沟平面栅

空: 标准二极管（Standard

M : 标准二极管、全电流规格（Standard Full

R : 快速二极管（Rapid

B : 快速二极管、全电流规格（Rapid Full

S : 超软二极管、全电流规格（Soft Full

NE : N沟平面栅带ESD

T : Field Stop 3和4

U : Field Stop 4+

V : Field Stop 5

W: Field Stop 6

X : Field Stop 7

D : 合封二极管

电压规格，如:

65表示650V

R : 集成二极管（RC IGBT）

L : 超低速，推荐频率~2KHz

Q : 低速，推荐频率2~20K

S : 标准，推荐频率5~40K

F : 高速，推荐频率10~60K

UF : 超高速，推荐频率40K~

120表示1200V等

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

10T65SDM1F

环保等级

包装方式

料管

SGT10T65SDM1F

TO-220F-3L

无铅

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.0

共 9 页第 1 页

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