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SGS5N150UFTU

更新时间： 2024-02-22 14:18:38
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网栅瞄准线双极性晶体管开关功率控制
页数 文件大小 规格书
6页 288K
描述
Discrete, High Performance IGBT, TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD, 1000/RAIL

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SGS5N150UFTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.81
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：1500 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：120 ns
门极发射器阈值电压最大值：4 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：100 ns标称接通时间 (ton)：25 ns
Base Number Matches：1

SGS5N150UFTU 数据手册

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IGBT  
SGS5N150UF  
General Description  
Features  
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)  
provides low conduction and switching losses.  
SGS5N150UF is designed for the Switching Power  
Supply applications.  
•
•
•
High Speed Switching  
Low Saturation Voltage : V  
High Input Impedance  
= 4.7 V @ I = 5A  
CE(sat)  
C
Application  
Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter  
C
E
G
TO-220F  
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGS5N150UF  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
1500  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
± 20  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
10  
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
5
A
C
Pulsed Collector Current  
20  
50  
A
CM (1)  
P
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T = 25°C  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
20  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
2.5  
62.5  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
--  
--  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGS5N150UF Rev. B  
123456

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SGS5N150UFTU 替代型号

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SGS5N150UF FAIRCHILD

完全替代

 General Description

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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