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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 38K |  |
| 描述 | ||
| TRANSISTOR,BJT POWER MODULE,DARLINGTON,450V V(BR)CEO,50A I(C) | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| 最大降落时间（tf）： | 600 ns | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 375 W |
| 子类别： | BIP General Purpose Power | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGS-5-10 | SYNERGY |
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DOUBLE-BALANCED MICROWAVE MIXER SURFACE WIDE BANDWIDTH - GALAXY SERIES 3 - 19 GHz |
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| SGS-5-13 | SYNERGY |
获取价格 |
DOUBLE-BALANCED MICROWAVE MIXER SURFACE WIDE BANDWIDTH - GALAXY SERIES 3 - 19 GHz |
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| SGS-5-17 | SYNERGY |
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DOUBLE-BALANCED MICROWAVE MIXER SURFACE WIDE BANDWIDTH - GALAXY SERIES 3 - 19 GHz |
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| SGS5N150 | FAIRCHILD |
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General Description |
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| SGS5N150UF | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Description |
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| SGS5N150UFTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Discrete, High Performance IGBT, TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD, |
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| SGS5N60RUF | FAIRCHILD |
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Short Circuit Rated IGBT |
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| SGS5N60RUFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Short Circuit Rated IGBT |
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| SGS5N60RUFDTU | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220F, 3 PIN |
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| SGS60DA070D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT POWER MODULE,DARLINGTON,700V V(BR)CEO,60A I(C) |
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