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SGS117

更新时间: 2024-11-10 19:39:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 117K
描述
2A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

SGS117 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.92外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):500
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:50 W最大功率耗散 (Abs):50 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1

SGS117 数据手册

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