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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.51 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGS112 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| SGS115 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| SGS116 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| SGS117 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| SGS122 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| SGS125 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| SGS13002 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,300V V(BR)CEO,3A I(C),TO-218 |
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| SGS13002T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,300V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-220AB |
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| SGS13003 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SGS13003, SO82-3 |
|
| SGS13003T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-220AB |
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