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SGM820PB8B3TFM

更新时间: 2024-05-23 22:22:25
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士兰微 - SILAN /
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描述
B3

SGM820PB8B3TFM 数据手册

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SGM820PB8B3TFM 说明书  
820A/750V IGBT模块  
1.描述  
SGM820PB8B3TFM 是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺  
IGBT 芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于混动和纯电动汽车等  
应用领域有高电流密度短路能力和高阻断电压等级严苛环境条  
件下的逆变器运行,提供更可靠的保障。  
2.主要特点  
基于精细沟槽的 FS-V 技术,阻断电压达 750V  
VCE(sat)同时具备正温度系数  
低开关损耗  
Qg Cres  
B3  
采用导热性优良的 DBC  
每相内置 NTC  
直接水冷基板,低热阻  
3.产品规格分类  
产品名称  
封装类型  
打印名称  
包装方式  
SGM820PB8B3TFM  
B3  
SGM820PB8B3TFM  
纸箱  
4.电路图  
T1  
P3  
P2  
P1  
T
C5  
C3  
C1  
T2  
T3  
G5  
E5  
G3  
E3  
G1  
E1  
T
T
3
2
1
C6  
C4  
C2  
T4  
T5  
G6  
E6  
G4  
E4  
G2  
E2  
T6  
N3  
N2  
N1  
杭州士兰微电子股份有限公司  
2023.12.28  
4 页 第 1 页  
http: //www.silan.com.cn  

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