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SGM400TA10A7BTFD

更新时间： 2024-11-19 18:09:15

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士兰微 - SILAN		/
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SGM400TA10A7BTFD 数据手册

SGM400TA10A7BTFD 说明书

400A, 950V IGBT模块

1.描述

SGM400TA10A7BTFD 是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺

IGBT 芯片技术开发的三电平拓扑模块。该模块适用于光伏领域，具有高电

流密度、低导通压降和高阻断电压等级，为严苛环境条件下的逆变器运行，

提供更可靠的保障。

2.主要特点



基于精细沟槽的 FS-V 技术，阻断电压达 950V

低 V_CE(sat)同时具备正温度系数

A7B



低开关损耗

采用绝缘 DBC 技术

3.产品规格分类

产品名称

封装类型

打印名称

包装方式

SGM400TA10A7BTFD

A7B

SGM400TA10A7BTFD

纸箱

4.电路图

DC+

T1/D1

T2/D2

T5/D5

AC1

AC2

T3/D3

T6/D6

T4/D4

DC-

杭州士兰微电子股份有限公司

2024.04.22

共 3 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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