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SGM400DCD10D3BTFD

更新时间： 2024-06-27 12:11:05

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士兰微 - SILAN		/
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D3B

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SGM400DCD10D3BTFD 数据手册

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SGM400DCD10D3BTFD 说明书

400A, 1000V IGBT模块

1.描述

SGM400DCD10D3BTFD 是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工

艺 IGBT 芯片技术开发的三电平升压拓扑模块。该模块适用于光伏领域，具

有高电流密度、低导通压降和高阻断电压等级，为严苛环境条件下的逆变器

运行，提供更可靠的保障。

2.主要特点



基于精细沟槽的 FS-V 技术，阻断电压达 1050V

低 V_CE(sat)同时具备正温度系数

低开关损耗

D3B

采用铜底板技术

3.产品规格分类

产品名称

封装类型

打印名称

包装方式

纸箱

SGM400DCD10D3BTFD

D3B

SGM400DCD10D3BTFD

4.电路图

D14

D15

D24

D25

BSTIN1

11~14

DC1+

5~7

DC2+

31~3

BSTIN2

37~40

D13

D23

T11

DCN1-

T21

D11

DCN2-

D21

G11

E11

G21

E21

FC1+

23~25

FC2+

47~49

FLY1+

FLY2+

FLY1-

FLY2-

FC1-

20~22

FC2-

44~46

D16

D26

DCN1+

DCN2+

T12

T22

TH1

G12

D12

G22

D22

NTC

E12

E22

DC2-

28~30

TH2

DC1-

2~4

杭州士兰微电子股份有限公司

2024.04.22

共 3 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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