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SGM2014M

更新时间: 2024-09-22 22:21:55
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 110K
描述
GaAs N-channel Dual Gate MES FET

SGM2014M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.055 A最大漏极电流 (ID):0.055 A
FET 技术:METAL SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):0.05 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:0.15 W最小功率增益 (Gp):15 dB
认证状态:Not Qualified子类别:FET RF Small Signal
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

SGM2014M 数据手册

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