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SGM2014AN

更新时间： 2024-11-09 22:21:55

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
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5页	59K
描述
GaAs N-channel Dual Gate MES FET

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SGM2014AN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.055 A
最大漏极电流 (ID)：	0.055 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	0.05 pF	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.1 W
最小功率增益 (Gp)：	15 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET RF Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

SGM2014AN 数据手册

SGM2014AN

GaAs N-channel Dual Gate MES FET

For the availability of this product, please contact the sales office.

Description

M-281

The SGM2014AN is an N-channel dual gate GaAs

MES FET for UHF band low-noise amplification.

This FET is suitable for a wide range of applications

including TV tuners, cellular radios, and DBS IF

amplifiers.

Features

• Ultra small package

• Low voltage operation

• Low noise: NF = 1.5dB (typ.) at 900MHz

• High gain: Ga = 18dB (typ.) at 900MHz

• Low cross-modulation

• High stability

• Built-in gate-protection diode

Application

UHF band amplifier, mixer and oscillator

Structure

GaAs N-channel dual-gate metal semiconductor field-effect transistor

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

• Drain to source voltage

• Gate 1 to source voltage

• Gate 2 to source voltage

• Drain current

VDSX

VG1S

VG2S

–5

°C

• Allowable power dissipation

• Channel temperature

• Storage temperature

100

125

Tch

Tstg –55 to +150

Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license by

any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating the

operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.

– 1 –

E97938-PS

12 3 4 5

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与SGM2014AN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGM2014M	SONY	获取价格	GaAs N-channel Dual Gate MES FET
SGM2015	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2015-1.5	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2015-1.5YN5/TR	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2015-1.8	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2015-1.8YN5/TR	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2015-2.5	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2015-2.5YN5/TR	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2015-2.8	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2015-2.85	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators

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