Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> SGM2014

SGM2014

更新时间： 2024-02-29 01:27:16

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索尼 - SONY		栅
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5页	53K
描述
GaAs N-channel Dual Gate MES FET

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SGM2014 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.055 A	最大漏极电流 (ID)：	0.055 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.05 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.15 W	最小功率增益 (Gp)：	15 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET RF Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

SGM2014 数据手册

SGM2014AM

GaAs N-channel Dual Gate MES FET

For the availability of this product, please contact the sales office.

Description

The SGM2014AM is an N-channel dual gate GaAs

MES FET for UHF band low-noise amplification.

This FET is suitable for a wide range of applications

including TV tuners, cellular radios, and DBS IF

amplifiers.

Features

• Low voltage operation

• Low noise: NF = 1.5dB (typ.) at 900MHz

• High gain: Ga = 18dB (typ.) at 900MHz

• Low cross-modulation

• High stability

• Built-in gate-protection diode

Application

UHF band amplifier, mixer and oscillator

Structure

GaAs N-channel dual-gate metal semiconductor field-effect transistor

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

• Drain to source voltage

• Gate 1 to source voltage

• Gate 2 to source voltage

• Drain current

VDSX

VG1S

VG2S

–5

°C

• Allowable power dissipation

• Channel temperature

• Storage temperature

150

Tch

Tstg –55 to +150

Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license by

any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating the

operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.

– 1 –

E96Y09-PS

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGM2014-1.5	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2014-1.5YN5/TR	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2014-1.8	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2014-1.8YN5/TR	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2014-2.5	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2014-2.5YN5/TR	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2014-2.8	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2014-2.85	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2014-2.85YN5/TR	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
SGM2014-2.8YN5/TR	SGMICRO	获取价格	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators

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