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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.1 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.34 W |
| 子类别： | FET RF Small Signal | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGH5003F-05-T6 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| SGH5612F-04 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel |
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| SGH5N120RUF | FAIRCHILD |
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Short Circuit Rated IGBT |
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| SGH5N120RUFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Short Circuit Rated IGBT |
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| SGH5N120RUFDTU | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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| SGH5N120RUFTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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| SGH80N60 | FAIRCHILD |
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Ultra-Fast IGBT |
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| SGH80N60UF | FAIRCHILD |
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Ultra-Fast IGBT |
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| SGH80N60UFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Ultrafast IGBT |
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| SGH80N60UFDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Ultrafast IGBT |
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