5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 5 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A |
| FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGH5003F-04-T6 | SONY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
|
| SGH5003F05 | SONY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel |
|
| SGH5003F-05-T6 | SONY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
|
| SGH5612F-04 | SONY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel |
|
| SGH5N120RUF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Short Circuit Rated IGBT |
|
| SGH5N120RUFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Short Circuit Rated IGBT |
|
| SGH5N120RUFDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
|
| SGH5N120RUFTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
|
| SGH80N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Ultra-Fast IGBT |
|
| SGH80N60UF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Ultra-Fast IGBT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
