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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.07 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.34 W |
| 子类别： | FET RF Small Signal | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGH5002F-05-T6 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| SGH5003F01 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel |
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| SGH5003F-01-T6 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| SGH5003F-02-T6 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| SGH5003F03 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel |
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| SGH5003F-03-T6 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| SGH5003F-04-T6 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| SGH5003F05 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel |
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| SGH5003F-05-T6 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| SGH5612F-04 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel |
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