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| 生命周期： | Active | 包装说明： | E-LELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 9 V |
| JESD-30 代码： | E-LELF-R2 | 最大非重复峰值正向电流： | 5 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.06 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 2500 V | 最大反向恢复时间： | 0.06 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGB25UFSMSS | SSDI |
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60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
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| SGB25UFSMSTX | SSDI |
获取价格 |
60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
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| SGB25UFSMSTXV | SSDI |
获取价格 |
60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
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| SGB25UFTX | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| SGB25UFTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| SGB2UFK450A8 | MERITEK |
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PTC Thermistor, Chassis Mount |
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| SGB30N60 | INFINEON |
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Fast IGBT in NPT-technology |
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| SGB30N60_09 | INFINEON |
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Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation |
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| SGB30N60ATMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL |
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| SGB30UF | SSDI |
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60 mA 1000 - 3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
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