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SGB06N60ATMA1

更新时间： 2024-09-18 20:50:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	784K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, D2PAK-3

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SGB06N60ATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	318 ns
标称接通时间 (ton)：	41 ns	Base Number Matches：	1

SGB06N60ATMA1 数据手册

SGB06N60

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

PG-TO-263-3-2 (D²-PAK)

(TO-263AB)

• Qualified according to JEDEC²for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models :

http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat)150°C}

T_j

Marking

Package

SGB06N60

600V

2.3V

G06N60 PG-TO-263-3-2

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

6.9

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_{Cpul s}

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 6 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time¹⁾

t_SC

µs

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

P_{t ot}

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

Soldering temperature (reflow soldering, MSL1)

T_j, T_stg

-55...+150

245

°C

²J-STD-020 and JESD-022

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.2 Nov 06

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGB07N120	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGB07N120_07	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology lower Eoff compared to previous generation
SGB07N120ATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16.5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN,
SG-B1	PANASONIC	获取价格	New SG-E1, SG-C1, SG-B2/D1, SG-B1/A1 Series Safety Switches
SGB1.5UFJ450A8	MERITEK	获取价格	PTC Thermistor, Chassis Mount
SGB1.5UFK450A8	MERITEK	获取价格	PTC Thermistor, Chassis Mount
SGB10N60	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
SGB10N60A	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGB10N60A_07	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGB10N60AXT	INFINEON	获取价格	暂无描述

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