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SGB06N60

更新时间： 2024-09-17 22:20:59

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅
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Fast IGBT in NPT-technology

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SGB06N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	65 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	67 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	24 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	318 ns
标称接通时间 (ton)：	41 ns	Base Number Matches：	1

SGB06N60 数据手册

SGP06N60, SGB06N60

SGD06N60, SGU06N60

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

P-TO-251-3-1 (I-PAK)

(TO-251AA)

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-252-3-1 (D-PAK) P-TO-220-3-1

P-TO-263-3-2 (D²-PAK)

(TO-263AB)

(TO-252AA)

(TO-220AB)

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Package

Ordering Code

SGP06N60

SGB06N60

SGD06N60

SGU06N60

600V

2.3V

TO-220AB

Q67040-S4450

Q67040-S4448

Q67041-A4709

Q67040-S4449

150°C

TO-263AB

TO-252AA(DPAK)

TO-251AA(IPAK)

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

6.9

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 6 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

µs

P_{t ot}

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SGB07N120	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
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