Datasheet > SGB02N60

SGB02N60

更新时间： 2024-11-08 22:21:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	388K
描述
FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SGB02N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	GREEN, PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.22	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	63 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	18 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	354 ns	标称接通时间 (ton)：	34 ns
Base Number Matches：	1

SGB02N60 数据手册

SGP02N60,

SGB02N60

SGD02N60

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-252-3-1 (D-PAK) P-TO-220-3-1

P-TO-263-3-2 (D²-PAK)

(TO-263AB)

(TO-252AA)

(TO-220AB)

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Package

Ordering Code

SGP02N60

SGB02N60

SGD02N60

600V

2.2V

TO-220AB

Q67040-S4504

Q67040-S4505

Q67041-A4707

150°C

TO-263AB

TO-252AA(DPAK)

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

6.0

2.9

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 2 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

µs

P_{t ot}

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与SGB02N60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGB02N60_06	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGB02N60ATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLA
SGB04N60	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGB04N60_06	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGB06N60	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGB06N60_06	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGB06N60ATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL
SGB07N120	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGB07N120_07	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology lower Eoff compared to previous generation
SGB07N120ATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16.5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN,

与SGB02N60相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

23
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

48
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SGB02N60

SGB02N60 技术参数

SGB02N60 数据手册

与SGB02N60相关器件

与SGB02N60相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SGB02N60

SGB02N60 技术参数

SGB02N60 数据手册

与SGB02N60相关器件

与SGB02N60相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？