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SGB02N120XT

更新时间： 2024-09-18 13:02:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
11页	434K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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SGB02N120XT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	20 weeks
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6.2 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	375 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	Base Number Matches：	1

SGB02N120XT 数据手册

SGB02N120

Fast IGBT in NPT-technology

• Lower E_offcompared to previous generation

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

- SMPS

• NPT-Technology offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

PG-TO-263-3-2

• Qualified according to JEDEC¹for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

E_off

T_j

Marking

Package

SGB02N120

1200V

0.11mJ

GB02N120

PG-TO-263-3-2

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

1200

6.2

2.8

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_{Cpul s}

9.6

V_CE≤ 1200V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 2A, V_CC= 50V, R_GE= 25Ω, start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time²

t_SC

µs

V_GE= 15V, 100V ≤ V_CC≤ 1200V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

P_{t ot}

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

Soldering temperature (reflow soldering, MSL1)

T_j, T_stg

T_s

-55...+150

245

°C

¹J-STD-020 and JESD-022

²Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2_3 Jan 07

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...11

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